IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А

IGT60R190D1SATMA1
2 16572 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
1 941.29 ₽
1 809.66 ₽
Доступность: 3 шт.

Срок поставки 6 недель

 

Минимальное количество для товара "IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А" 1.

Артикул производителя
IGT60R190D1SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
HEMT
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3,2нC
Корпус
PG-HSOF-8-3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-10В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
IGT60R190D1SATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
55,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Технология
CoolGaN™
Тип транзистора
N-JFET
Ток стока
12,5А
Ток стока в импульсном режиме
23А
Ток управления
7,7мА

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены