IMW65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт

IMW65R027M1HXKSA1
6 74905 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
Цена
6 083.33 ₽
5 373.11 ₽
4 832.39 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IMW65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт" 1.

Артикул производителя
IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Корпус
TO247
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...23В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
IMW65R027M1HXKSA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
189Вт
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Технология
CoolSiC™, SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
39А
Ток стока в импульсном режиме
185А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены