IMZA65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 41А; Idm: 184А; 189Вт

IMZA65R027M1HXKSA1
6 354.09 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
90+
Цена
5 705.18 ₽
5 057.01 ₽
4 541.64 ₽
4 236.31 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IMZA65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 41А; Idm: 184А; 189Вт" 1.

Артикул производителя
IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...23В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
IMZA65R027M1HXKSA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
189Вт
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Технология
CoolSiC™, SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
41А
Ток стока в импульсном режиме
184А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России