IPB038N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3

IPB038N12N3GATMA1

Срок поставки 4-6 недель

767.01 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
200+
500+
Цена
520.41 ₽
488.10 ₽
465.99 ₽
443.03 ₽
424.32 ₽
405.61 ₽
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB038N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Артикул производителя
IPB038N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Код производителя
IPB038N12N3GATMA1
Корпус
PG-TO263-3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
120В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
300Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,8мОм
Технология
OptiMOS™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
120А

Отзывы не найдены

Описание (ipb038n12n3g-dte.pdf, 873 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России