IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3

IPB049NE7N3GATMA1

Срок поставки 4-6 недель

349.49 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
1000+
Цена
302.72 ₽
241.50 ₽
209.18 ₽
196.43 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

Артикул производителя
IPB049NE7N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Код производителя
IPB049NE7N3GATMA1
Корпус
PG-TO263-3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
75В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
150Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4,9мОм
Технология
OptiMOS™ 3
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
80А

Отзывы не найдены

Описание (ipb049ne7n3g-dte.pdf, 531 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России