IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3

IPB083N10N3GATMA1

Срок поставки 4-6 недель

293.37 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
250+
Цена
260.20 ₽
233.84 ₽
216.84 ₽
211.73 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

Артикул производителя
IPB083N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Код производителя
IPB083N10N3GATMA1
Корпус
PG-TO263-3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8,3мОм
Технология
OptiMOS™ 3
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
80А

Отзывы не найдены

Описание (ipb083n10n3g-dte.pdf, 779 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России