IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт

IPB180N04S4H0

Срок поставки 4-6 недель

542.52 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
100+
250+
500+
Цена
471.09 ₽
431.97 ₽
385.20 ₽
352.04 ₽
323.98 ₽
299.32 ₽
288.27 ₽
Доступность: 910 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт" 1.

Артикул производителя
IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Заряд затвора
173нC
Код производителя
IPB180N04S4H0ATMA1
Корпус
PG-TO263-7
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
250Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,1мОм
Технология
OptiMOS™ T2
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
180А

Отзывы не найдены

Описание (ipb180n04s4h0.pdf, 163 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России