IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт

IPB180N04S4H0
468.09 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
100+
250+
500+
Цена
406.46 ₽
372.71 ₽
332.36 ₽
303.74 ₽
279.53 ₽
258.25 ₽
248.72 ₽
Доступность: 977 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт" 1.

Артикул производителя
IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Заряд затвора
173нC
Корпус
PG-TO263-7
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
IPB180N04S4H0ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
250Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,1мОм
Технология
OptiMOS™ T2
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
180А

Отзывы не найдены

Описание (ipb180n04s4h0.pdf, 163 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России