IPD082N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3

IPD082N10N3GATMA1
274.39 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
2500+
Цена
235.51 ₽
211.30 ₽
164.34 ₽
151.87 ₽
138.66 ₽
127.66 ₽
119.59 ₽
115.92 ₽
Доступность: 1561 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IPD082N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

Артикул производителя
IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Корпус
PG-TO252-3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IPD082N10N3GATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8,2мОм
Технология
OptiMOS™ 3
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
80А

Отзывы не найдены

Описание (ipd082n10n3g-dte.pdf, 779 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России