IPD110N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 54А; Idm: 300А; 136Вт

IPD110N12N3GATMA1
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IPD110N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 54А; Idm: 300А; 136Вт" 1.

Артикул производителя
IPD110N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Корпус
PG-TO252-3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
120В
Обозначение производителя
IPD110N12N3GATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
136Вт
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Технология
OptiMOS™ 3
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
54А
Ток стока в импульсном режиме
300А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены