IPD12CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3

IPD12CN10NGATMA1
‍323‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
2+
10+
20+
50+
100+
200+
Цена
304 ₽
243 ₽
216 ₽
185 ₽
166 ₽
160 ₽
Доступность: 1837 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "IPD12CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

Артикул производителя
IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Корпус
PG-TO252-3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IPD12CN10NGATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм
Технология
OptiMOS™ 2
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
67А

Отзывы не найдены

Описание (ipd12cn10ng-dte.pdf, 859 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены