IPD12CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3

IPD12CN10NGATMA1

Срок поставки 4-6 недель

361.39 
Оптовые цены:
Кол-во
2+
10+
20+
50+
100+
200+
Цена
340.14 ₽
271.26 ₽
239.80 ₽
207.48 ₽
185.37 ₽
177.72 ₽
Доступность: 1484 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD12CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

Артикул производителя
IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Код производителя
IPD12CN10NGATMA1
Корпус
PG-TO252-3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм
Технология
OptiMOS™ 2
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
67А

Отзывы не найдены

Описание (ipd12cn10ng-dte.pdf, 859 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России