IPD50N06S4L12ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт

IPD50N06S4L12

Срок поставки 4-6 недель

198.13 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
Цена
133.50 ₽
119.05 ₽
111.39 ₽
Доступность: 1235 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD50N06S4L12ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт" 1.

Артикул производителя
IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Заряд затвора
30нC
Код производителя
IPD50N06S4L12ATMA2
Корпус
PG-TO252-3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±16В
Напряжение сток-исток
60В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
50Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Технология
OptiMOS™ T2
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
36А

Отзывы не найдены

Описание (ipd50n06s4l12.pdf, 164 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России