IPD50N10S3L16ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 38А; Idm: 200А

IPD50N10S3L16ATMA1
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IPD50N10S3L16ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 38А; Idm: 200А" 1.

Артикул производителя
IPD50N10S3L16ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Корпус
PG-TO252-3-11
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IPD50N10S3L16ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
100Вт
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм
Технология
OptiMOS® -T
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
38А
Ток стока в импульсном режиме
200А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены