IPD60R3K3C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,1А; Idm: 4А; 18,1Вт; PG-TO252

IPD60R3K3C6ATMA1
0.00 
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IPD60R3K3C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,1А; Idm: 4А; 18,1Вт; PG-TO252" 1.

Артикул производителя
IPD60R3K3C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Корпус
PG-TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
IPD60R3K3C6ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
18,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,3Ом
Технология
CoolMOS™ C6
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,1А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены