IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD

IPD80R3K3P7

Срок поставки 4-6 недель

189.63 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
Цена
128.40 ₽
108.84 ₽
85.88 ₽
82.48 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

Артикул производителя
IPD80R3K3P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Заряд затвора
6нC
Код производителя
IPD80R3K3P7ATMA1
Корпус
PG-TO252-3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
800В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
18Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,3Ом
Технология
CoolMOS™ P7
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,3А

Отзывы не найдены

Описание (ipd80r3k3p7.pdf, 971 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России