IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А

IPDD60R080G7XTMA1

Срок поставки 4-6 недель

1 206.63 
Оптовые цены:
Кол-во
2+
10+
20+
50+
Цена
991.50 ₽
849.49 ₽
819.73 ₽
785.71 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А" 1.

Артикул производителя
IPDD60R080G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
42нC
Код производителя
IPDD60R080G7XTMA1
Корпус
PG-HDSOP-10-1
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
174Вт
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Технология
CoolMOS™ G7
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
29А
Ток стока в импульсном режиме
83А

Отзывы не найдены

Описание (ipdd60r080g7.pdf, 928 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России