IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А

IPDD60R102G7XTMA1
‍868‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
Цена
715 ₽
630 ₽
528 ₽
506 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А" 1.

Артикул производителя
IPDD60R102G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
34нC
Корпус
PG-HDSOP-10-1
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
IPDD60R102G7XTMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
139Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,102Ом
Технология
CoolMOS™ G7
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
23А
Ток стока в импульсном режиме
66А

Отзывы не найдены

Описание (ipdd60r102g7.pdf, 916 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены