IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А

IPDD60R190G7XTMA1

Срок поставки 4-6 недель

567.18 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
500+
Цена
400.51 ₽
340.14 ₽
301.02 ₽
282.31 ₽
265.31 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А" 1.

Артикул производителя
IPDD60R190G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
18нC
Код производителя
IPDD60R190G7XTMA1
Корпус
PG-HDSOP-10-1
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
76Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Технология
CoolMOS™ G7
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
13А
Ток стока в импульсном режиме
36А

Отзывы не найдены

Описание (ipdd60r190g7.pdf, 938 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России