IPI086N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3

IPI086N10N3GXKSA1

Срок поставки 4-6 недель

385.20 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
250+
500+
Цена
183.67 ₽
157.31 ₽
147.96 ₽
136.90 ₽
132.65 ₽
Доступность: 110 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPI086N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3" 1.

Артикул производителя
IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Код производителя
IPI086N10N3GXKSA1
Корпус
PG-TO262-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8,6мОм
Технология
OptiMOS™ 3
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
80А

Отзывы не найдены

Описание (ipi086n10n3g-dte.pdf, 779 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России