IPN60R3K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223

IPN60R3K4CEATMA1
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IPN60R3K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Артикул производителя
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Корпус
PG-SOT223
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
IPN60R3K4CEATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,4Ом
Технология
CoolMOS™ CE
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,6А
Ток стока в импульсном режиме
3,9А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены