IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD

IPN80R1K2P7
19413 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
160.04 ₽
121.21 ₽
100.38 ₽
92.80 ₽
82.39 ₽
81.44 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

Артикул производителя
IPN80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина
Заряд затвора
11нC
Корпус
PG-SOT223
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
IPN80R1K2P7ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
6,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Технология
CoolMOS™ P7
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
3,1А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены