Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина
Заряд затвора
11нC
Корпус
PG-SOT223
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
IPN80R1K2P7ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
6,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Технология
CoolMOS™ P7
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
3,1А
Отзывы не найдены