IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

IPN80R1K4P7
195.16 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
200+
500+
1000+
Цена
162.14 ₽
141.60 ₽
99.05 ₽
85.11 ₽
73.37 ₽
63.83 ₽
61.63 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

Артикул производителя
IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина
Заряд затвора
10нC
Корпус
PG-SOT223
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
IPN80R1K4P7ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Технология
CoolMOS™ P7
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,7А

Отзывы не найдены

Описание (ipn80r1k4p7.pdf, 1,052 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России