IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD

IPN80R2K4P7
‍142‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
110 ₽
76 ₽
59 ₽
52 ₽
51 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

Артикул производителя
IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина
Заряд затвора
8нC
Корпус
PG-SOT223
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
IPN80R2K4P7ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
6,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом
Технология
CoolMOS™ P7
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,7А

Отзывы не найдены

Описание (ipn80r2k4p7.pdf, 1,039 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены