IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

IPN80R4K5P7

Срок поставки 4-6 недель

164.97 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
Цена
132.65 ₽
116.50 ₽
84.18 ₽
81.63 ₽
Доступность: 1986 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

Артикул производителя
IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина
Заряд затвора
4нC
Код производителя
IPN80R4K5P7ATMA1
Корпус
PG-SOT223
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
800В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4,5Ом
Технология
CoolMOS™ P7
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока

Отзывы не найдены

Описание (ipn80r4k5p7.pdf, 1,032 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России