Москва
 +7(499)550-50-61

IPT020N10N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт

Написать отзыв
IPT020N10N3ATMA1
1 838.59 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
1 652.97 ₽
1 460.75 ₽
1 268.53 ₽
1 181.22 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IPT020N10N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
IPT020N10N3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
156нC
Корпус
PG-HSOF-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IPT020N10N3ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
375Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2мОм
Технология
OptiMOS™ 3
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
212А
Ток стока в импульсном режиме
1,2кА
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (ipt020n10n3-dte.pdf, 1,249 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России