IPT029N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт

IPT029N08N5
‍786‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
100+
250+
Цена
638 ₽
565 ₽
482 ₽
430 ₽
389 ₽
384 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "IPT029N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт" 1.

Артикул производителя
IPT029N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
70нC
Корпус
PG-HSOF-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
IPT029N08N5ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
167Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,9мОм
Технология
OptiMOS™ 5
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
120А
Ток стока в импульсном режиме
676А

Отзывы не найдены

Описание (ipt029n08n5.pdf, 894 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены