Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

IPT029N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт

Написать отзыв
IPT029N08N5
69602 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
50+
100+
500+
Цена
571.02 ₽
481.06 ₽
455.49 ₽
431.82 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IPT029N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IPT029N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
70нC
Корпус
PG-HSOF-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
IPT029N08N5ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
167Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,9мОм
Технология
OptiMOS™ 5
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
120А
Ток стока в импульсном режиме
676А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены