IRF630, Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; полевой; 200В; 5,7А; 75Вт

IRF630

Срок поставки 4-6 недель

270.41 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
2000+
2500+
5000+
Цена
196.43 ₽
150.51 ₽
134.35 ₽
116.50 ₽
104.59 ₽
95.24 ₽
87.59 ₽
85.88 ₽
83.33 ₽
Доступность: 838 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF630, Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; полевой; 200В; 5,7А; 75Вт" 1.

Артикул производителя
IRF630 STMicroelectronics
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Код производителя
IRF630
Корпус
TO220-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
200В
Полярность
полевой
Производитель
STMicroelectronics
Рассеиваемая мощность
75Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,4Ом
Технология
MESH OVERLAY™ II
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
5,7А

Отзывы не найдены

Описание (irf630.pdf, 448 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России