Вид канала
обогащенный
Заряд затвора
200нC
Корпус
DirectFET
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
75В
Обозначение производителя
IRF7759L2TRPBF
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм
Технология
HEXFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
26А
Отзывы не найдены