IXTA130N10T, Транзистор: N-MOSFET; TrenchMV™; полевой; 100В; 130А; Idm: 350А

IXTA130N10T

Срок поставки 4-6 недель

1 021.26 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
Цена
886.90 ₽
729.59 ₽
576.53 ₽
531.46 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXTA130N10T, Транзистор: N-MOSFET; TrenchMV™; полевой; 100В; 130А; Idm: 350А" 1.

Артикул производителя
IXTA130N10T IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Время готовности
77нс
Заряд затвора
104нC
Код производителя
IXTA130N10T
Корпус
TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
360Вт
Сопротивление в открытом состоянии
9,1мОм
Технология
TrenchMV™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
130А
Ток стока в импульсном режиме
350А

Отзывы не найдены

Описание (ixta130n10t.pdf, 152 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России