Москва
 +7(993)080-09-37

IXTA1R4N100P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт

Написать отзыв
IXTA1R4N100P
592.81 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
300+
Цена
339.07 ₽
312.87 ₽
301.65 ₽
288.17 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IXTA1R4N100P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
IXTA1R4N100P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Время готовности
750нс
Заряд затвора
17,8нC
Корпус
TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
1кВ
Обозначение производителя
IXTA1R4N100P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
63Вт
Сопротивление в открытом состоянии
11,8Ом
Технология
Polar™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,4А
Ток стока в импульсном режиме
3А
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (ixta_p_y_1r4n100p.pdf, 260 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России