LGE3M14120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт

LGE3M14120Q
11 928.10 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
Цена
10 733.68 ₽
9 490.83 ₽
9 087.31 ₽
8 522.38 ₽
7 957.45 ₽
7 754.22 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "LGE3M14120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M14120Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
230нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
LGE3M14120Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
625Вт
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
108А
Ток стока в импульсном режиме
340А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m14120q.pdf, 9,683 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России