LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт

LGE3M160120E
1 587.57 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
250+
800+
Цена
1 429.64 ₽
1 262.72 ₽
1 134.73 ₽
1 059.13 ₽
1 030.69 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M160120E LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
42нC
Корпус
D2PAK
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
LGE3M160120E
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
127Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,285Ом
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
11А
Ток стока в импульсном режиме
38А

Отзывы не найдены

Описание (lge3m160120e.pdf, 1,198 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России