LGE3M160120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт

LGE3M160120Q
1 628.46 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
1800+
Цена
1 464.03 ₽
1 293.28 ₽
1 239.53 ₽
1 162.06 ₽
1 084.58 ₽
1 046.64 ₽
1 040.32 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "LGE3M160120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M160120Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
43нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
LGE3M160120Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
138Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,25Ом
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
16А
Ток стока в импульсном режиме
50А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m160120q.pdf, 1,141 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены