LGE3M18120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 74А; Idm: 220А; 428Вт

LGE3M18120Q

Срок поставки 4-6 недель

5 855.44 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
Цена
5 256.80 ₽
4 658.16 ₽
4 452.38 ₽
4 171.77 ₽
3 891.16 ₽
3 805.27 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "LGE3M18120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 74А; Idm: 220А; 428Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M18120Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
235нC
Код производителя
LGE3M18120Q
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
428Вт
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
74А
Ток стока в импульсном режиме
220А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m18120q.pdf, 1,903 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России