LGE3M1K170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт

Написать отзыв

КОД:

LGE3M1K170B

847.43 ₽

Оптовые цены:

Кол-во

10+

30+

120+

450+

900+

Цена

765.22 ₽

673.52 ₽

645.06 ₽

603.95 ₽

562.85 ₽

547.04 ₽

Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+ −

Минимальное количество для товара "LGE3M1K170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт" 1.

Артикул производителя

LGE3M1K170B LUGUANG ELECTRONIC

Доставка

Варианты оплаты

Отзывы не найдены

Описание (lge3m1k170b.pdf, 1,232 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует

Наша компания производит доставку по всей России

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены