LGE3M20120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4

LGE3M20120Q
4 544.00 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
1800+
Цена
4 080.00 ₽
3 616.00 ₽
3 472.00 ₽
3 248.00 ₽
3 024.00 ₽
2 912.00 ₽
2 897.60 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "LGE3M20120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4" 1.

Артикул производителя
LGE3M20120Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
254нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
LGE3M20120Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
428Вт
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
71А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m20120q.pdf, 1,331 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены