LGE3M25120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт

LGE3M25120Q
4 158.10 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
1800+
Цена
3 731.23 ₽
3 304.35 ₽
3 162.06 ₽
2 956.52 ₽
2 766.80 ₽
2 656.13 ₽
2 654.55 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "LGE3M25120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M25120Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
54нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
LGE3M25120Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
370Вт
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
60А
Ток стока в импульсном режиме
200А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m25120q.pdf, 3,820 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены