LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт

LGE3M28065Q
4 91193 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
1800+
Цена
4 414.77 ₽
3 917.61 ₽
3 738.64 ₽
3 500.00 ₽
3 261.36 ₽
3 142.05 ₽
3 062.50 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M28065Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
163нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
LGE3M28065Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
326Вт
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
67А
Ток стока в импульсном режиме
211А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены