Москва
 +7(499)550-50-61
LUGUANG ELECTRONIC

LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт

Написать отзыв
LGE3M28065Q

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: LUGUANG ELECTRONIC
4 620.75 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
Цена
4 153.06 ₽
3 685.37 ₽
3 517.01 ₽
3 292.52 ₽
3 068.03 ₽
3 011.90 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
LGE3M28065Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
163нC
Код производителя
LGE3M28065Q
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Напряжение сток-исток
650В
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
326Вт
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
67А
Ток стока в импульсном режиме
211А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (lge3m28065q.pdf, 1,458 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России