Москва
 +7(499)550-50-61

LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт

Написать отзыв
LGE3M28065Q
3 986.79 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
Цена
3 583.27 ₽
3 179.75 ₽
3 034.48 ₽
2 840.79 ₽
2 647.10 ₽
2 598.68 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
LGE3M28065Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
163нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
LGE3M28065Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
326Вт
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
67А
Ток стока в импульсном режиме
211А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (lge3m28065q.pdf, 1,458 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России