LGE3M30065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт

LGE3M30065B
3 683.79 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
Цена
3 304.35 ₽
2 924.90 ₽
2 798.42 ₽
2 624.51 ₽
2 450.59 ₽
2 360.47 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "LGE3M30065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M30065B LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
147нC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
LGE3M30065B
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
326Вт
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
64А
Ток стока в импульсном режиме
212А

Отзывы не найдены

Описание (lge3m30065b.pdf, 1,300 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены