Москва
 +7(499)550-50-61

LGE3M30065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт

Написать отзыв
LGE3M30065B
3 760.82 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
Цена
3 373.44 ₽
2 986.06 ₽
2 856.93 ₽
2 679.38 ₽
2 501.83 ₽
2 445.34 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "LGE3M30065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
LGE3M30065B LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
147нC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
LGE3M30065B
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
326Вт
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
64А
Ток стока в импульсном режиме
212А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (lge3m30065b.pdf, 1,300 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России