LGE3M30065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт

LGE3M30065Q
3 840.00 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
1800+
Цена
3 456.00 ₽
3 056.00 ₽
2 928.00 ₽
2 736.00 ₽
2 560.00 ₽
2 464.00 ₽
2 457.60 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "LGE3M30065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M30065Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
LGE3M30065Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
300Вт
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
54А
Ток стока в импульсном режиме
170А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m30065q.pdf, 794 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены