LGE3M35065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт

LGE3M35065Q
3 446.64 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
1800+
Цена
3 098.81 ₽
2 750.99 ₽
2 624.51 ₽
2 466.40 ₽
2 292.49 ₽
2 213.44 ₽
2 211.86 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "LGE3M35065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M35065Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
30нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...18В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
LGE3M35065Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
370Вт
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
40А
Ток стока в импульсном режиме
130А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m35065q.pdf, 1,292 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены