LGE3M35120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; Idm: 130А; 300Вт

LGE3M35120Q

Срок поставки 4-6 недель

4 508.50 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
Цена
4 059.52 ₽
3 591.84 ₽
3 442.18 ₽
3 217.69 ₽
2 993.20 ₽
2 935.37 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "LGE3M35120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; Idm: 130А; 300Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M35120Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
148нC
Код производителя
LGE3M35120Q
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
300Вт
Сопротивление в открытом состоянии
63мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
44А
Ток стока в импульсном режиме
130А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m35120q.pdf, 1,163 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России