LGE3M40065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт

LGE3M40065Q
3 130.43 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
1800+
Цена
2 814.23 ₽
2 482.21 ₽
2 387.35 ₽
2 229.25 ₽
2 086.96 ₽
2 007.91 ₽
2 000.00 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "LGE3M40065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M40065Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
110,8нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
LGE3M40065Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
348Вт
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
58А
Ток стока в импульсном режиме
180А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m40065q.pdf, 1,175 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены