LGE3M45170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт

LGE3M45170B

Срок поставки 4-6 недель

12 627.55 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
Цена
11 355.44 ₽
10 045.92 ₽
9 615.65 ₽
9 017.01 ₽
8 418.37 ₽
8 204.93 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "LGE3M45170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M45170B LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
54нC
Код производителя
LGE3M45170B
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
520Вт
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
48А
Ток стока в импульсном режиме
160А

Отзывы не найдены

Описание (lge3m45170b.pdf, 873 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России