LGE3M45170Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт

LGE3M45170Q
10 418.97 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
1800+
Цена
9 359.68 ₽
8 300.40 ₽
7 936.76 ₽
7 430.83 ₽
6 924.90 ₽
6 671.94 ₽
6 633.99 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "LGE3M45170Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M45170Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
54нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Обозначение производителя
LGE3M45170Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
520Вт
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
48А
Ток стока в импульсном режиме
160А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m45170q.pdf, 991 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены