Москва
 +7(499)550-50-61
LUGUANG ELECTRONIC

LGE3M45170Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт

Написать отзыв
LGE3M45170Q

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: LUGUANG ELECTRONIC
12 328.23 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
Цена
11 074.83 ₽
9 821.43 ₽
9 391.16 ₽
8 792.52 ₽
8 193.88 ₽
7 971.09 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "LGE3M45170Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
LGE3M45170Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
54нC
Код производителя
LGE3M45170Q
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
520Вт
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
48А
Ток стока в импульсном режиме
160А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (lge3m45170q.pdf, 991 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России