LGE3M50120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 327Вт

LGE3M50120B
2 651.16 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
1800+
Цена
2 387.60 ₽
2 108.53 ₽
2 015.50 ₽
1 891.47 ₽
1 767.44 ₽
1 705.43 ₽
1 694.57 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "LGE3M50120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 327Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M50120B LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,12мкC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
LGE3M50120B
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
327Вт
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
43А
Ток стока в импульсном режиме
145А

Отзывы не найдены

Описание (lge3m50120b.pdf, 1,123 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены