LGE3M50120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 344Вт

LGE3M50120Q
3 50000 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
1800+
Цена
3 142.05 ₽
2 784.09 ₽
2 664.77 ₽
2 485.80 ₽
2 326.70 ₽
2 247.16 ₽
2 167.61 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "LGE3M50120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 344Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M50120Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,12мкC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
LGE3M50120Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
344Вт
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
43А
Ток стока в импульсном режиме
145А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены